二氧化硅,高纯二氧化硅颗粒,二氧化硅靶,二氧化硅蒸发材料,镀膜**二氧化硅 化学符号:SiO2 沸 点:2230℃ 纯 度:4N 规 格:1-4mm,颗粒,靶材 分 子 量:60.08 外 观:白色 熔 点:1700℃ 密 度:2.2-2.7g/cm3 在10-4Torr真空下蒸发温度为:1025℃ 透 明 区/nm:200-8000 相对介电常数:3-4 击穿电压/V?cm-1:106 厚 度μm:0.03-0.3 沉积技术:反应溅射 折 射 率(波长/nm):1.46(500) 1.445(1600) 线膨胀系数/℃-1:5.5×10-7 蒸发方式:电子束 性 能: 可用钽舟加热蒸发,也可用三氧化二铝坩埚加热蒸发,但由电阻加热蒸发会产生分解,由电子束加热蒸发效果很好;不溶于水和酸,但溶于氟酸;其微粒能与熔融碱起作用; 应 用: 二氧化硅用途广泛,主要用于冷光膜、防反膜、多层膜、滤光片、绝缘膜、眼镜膜、紫外膜等。 我们热情欢迎国内外客户参观访问、来电咨询,“期待与您共创辉煌、共同发展”! 北京石久高研金属材料有限公司 联系人:胡小磊 联系电话: q 微信 地址:北京昌平区水南路*B坐213室